63-6766-63 ［取扱停止］NPN トランジスタ 表面実装 2.3 V 80 mA 4-Pin SOT-343 BFP620H7764XTSA1
[Infineon]
特徴
- SiGe RFバイポーラトランジスタ、Infineon
- Infineonの超低ノイズワイドバンドNPNバイポーラRFトランジスタ製品です。 このヘテロ接合バイポーラデバイスは、Infineonのシリコンゲルマニウムカーボン（SiGe：C）素材技術を採用しており、特に低電力消費が重要な要件となるモバイル用途に適しています。 代表的な遷移周波数が最大65 GHzのこのデバイスをアンプとして使用すると、最大10 GHzの周波数で高出力ゲインが得られます。 このトランジスタには、ESD及び過度のRF入力電力に対する保護用の内部回路が用意されています。
仕様
- 入数：1袋（15個入）
- トランジスタタイプ：NPN
- 最大DCコレクタ電流：80 mA
- 最大コレクタ- エミッタ間電圧：2.3 V
- パッケージタイプ：SOT-343
- 実装タイプ：表面実装
- 最大パワー消費：185 mW
- 最小DC電流ゲイン：110
- トランジスタ構成：シングル
- 最大コレクタ-ベース間電圧：7.5 V
- 最大エミッタ-ベース間電圧：1.2 V
- ピン数：4
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- 動作温度 Min：-65 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：110-7735
