特徴
- Infineon OptiMOSデュアルパワーMOSFET
仕様
- 入数：1テープ（60個入）
- チャンネルタイプ：N, P
- 最大連続ドレイン電流：1.5 A （Nチャンネル）、-1.5 A （Pチャンネル）
- 最大ドレイン-ソース間電圧：20 V （Nチャネル）、-20 V （Pチャネル）
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：250 mΩ, 280 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：0.6 V, 1.2 V
- 最低ゲートしきい値電圧：0.7 V, 1.2 V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-12 V, +12 V
- パッケージタイプ：TSOP
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：6
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：小信号
- 最大パワー消費：500 mW
- 標準ターンオン遅延時間：4.1 ns, 6.7 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：110-7726
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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