特徴
- PチャンネルMOSFET、Nexperia
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：3.9 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：20 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：76 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：0.9V
- 最低ゲートしきい値電圧：0.47V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-12 V, +12 V
- パッケージタイプ：SOT-23 （TO-236AB）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：1.92 W
- トランジスタ素材：Si
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：103-8142
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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