特徴
- NチャンネルMOSFET、100 V以上、Nexperia
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：150 mA
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：6 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：2.8V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOT-23
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：ロジックレベルMOSFET
- 最大パワー消費：250 mW
- 標準ターンオフ遅延時間：12ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：103-8117
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|