63-6744-75 Nチャンネル パワーMOSFET 80 A 表面実装 パッケージDPAK （TO-252） 3 ピン 1セット（2500個入） STD100N10F7
[STMicroelectronics]
特徴
- NチャンネルSTripFET H7シリーズ、STMicroelectronics
- 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
仕様
- 入数：1リール（2500個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：80 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：8 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：120 W
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：103-2005
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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