特徴
- NチャンネルMOSFET、最大30 V、Nexperia
仕様
- 入数：1袋（20個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：1.9 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：120 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOT-23 （TO-236AB）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：830 mW
- 標準ターンオン遅延時間：3 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：509-324
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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