63-6685-07　［取扱停止］Nチャンネル　パワーMOSFET　850　mA　表面実装　パッケージSOT-23　（TO-236AB）　3　ピン　BSH114,215

特徴

• NチャンネルMOSFET、100　V以上、Nexperia

仕様

• 入数：1袋（20個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：850　mA
• 最大ドレイン-ソース間電圧：100　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：500　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：4V
• 最低ゲートしきい値電圧：2V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：SOT-23　（TO-236AB）
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：シングル
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：830　mW
• トランジスタ素材：Si
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：508-539