63-6670-37　PNP トランジスタ 表面実装 60 V 1 A 3-Pin UMT 1袋（20個入）　PBSS5160U,115

特徴

• 低飽和電圧PNPトランジスタ、Nexperia
• NXP　BISS　（Breakthrough　In　Small　Signal）低飽和電圧PNPバイポーラ接合トランジスタ製品です。　このデバイスは、非常に低いコレクタ-エミッタ飽和電圧と高いコレクタ電流容量を特長とし、小型省スペースのパッケージに収められています。　このトランジスタは、損失が低減しているため、スイッチング用途やデジタル用途で使用されると、低発熱で効率が全体的に高まります。

仕様

• 入数：1袋（20個入）
• トランジスタタイプ：PNP
• 最大DCコレクタ電流：1　A
• 最大コレクタ-　エミッタ間電圧：60　V
• パッケージタイプ：UMT
• 実装タイプ：表面実装
• 最大パワー消費：415　mW
• 最小DC電流ゲイン：100
• トランジスタ構成：シングル
• 最大コレクタ-ベース間電圧：80　V
• 最大エミッタ-ベース間電圧：5　V
• 最大動作周波数：185　MHz
• ピン数：3
• 1チップ当たりのエレメント数：1
• 動作温度　Max：+150　°C
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：485-353