63-6655-61 Pチャンネル パワーMOSFET 130 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン 1袋（100個入） BSS84LT1G
[ON Semiconductor]
特徴
- PチャンネルパワーMOSFET、30 → 500 V、ON Semiconductor
仕様
- 入数：1袋（100個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：130 mA
- 最大ドレイン-ソース間電圧：50 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：10 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOT-23
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：225 mW
- 寸法：2.9 x 1.3 x 0.94mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：463-329
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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