63-6616-43 Nチャンネル パワーMOSFET 600 mA 表面実装 パッケージTSOP 6 ピン 1袋（10個入） IRF5801TRPBF
[Infineon]
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：600 mA
- 最大ドレイン-ソース間電圧：200 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：2.2 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：5.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-30 V, +30 V
- パッケージタイプ：TSOP
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2 W
- 標準ターンオフ遅延時間：8.8 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：301-631
