63-6616-36　［取扱停止］N+Pチャンネル　パワーMOSFET　1.7　A、2.4　A　表面実装　パッケージMSOP　8　ピン　IRF7507TRPBF

特徴

• デュアルN　/　PチャンネルパワーMOSFET、Infineon
• InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。　さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。

仕様

• 入数：1個
• チャンネルタイプ：N,　P
• 最大連続ドレイン電流：1.7　A、2.4　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：20　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：140　mΩ,　270　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：0.7V
• 最低ゲートしきい値電圧：0.7V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-12　V,　+12　V
• パッケージタイプ：MSOP
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：8
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：1250　mW
• 標準ターンオン遅延時間：5.7　ns,　9.1　ns
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：301-186