63-6616-29 [取扱停止]デュアル Pチャンネル パワーMOSFET 1.7 A 表面実装 パッケージMSOP 8 ピン IRF7506TRPBF
[Infineon]
特徴
- デュアルPチャンネルパワーMOSFET、Infineon
- InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションをご用意しており、設計者はデュアルPチャンネル構成を選択できます。
仕様
- 入数:1個
- チャンネルタイプ:P
- 最大連続ドレイン電流:1.7 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧:30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗:270 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧:1V
- 最低ゲートしきい値電圧:1V
- 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V
- パッケージタイプ:MSOP
- 実装タイプ:表面実装
- トランジスタ構成:絶縁型
- チャンネルモード:エンハンスメント型
- カテゴリー:パワーMOSFET
- 最大パワー消費:1.25 W
- 標準ターンオフ遅延時間:19 ns
- RoHS適合状況:適合
- コード番号:300-307