63-6616-28 ［取扱停止］デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 2.4 A 表面実装 パッケージMSOP 8 ピン IRF7503TRPBF
[Infineon]
特徴
- デュアルNチャンネルパワーMOSFET、Infineon
- InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルNチャンネル構成を選択できます。
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：2.4 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：135 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：1V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：MSOP
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：絶縁型
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：1.25 W
- 動作温度 Min：-55 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：300-290
