特徴
- NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET Polarシリーズ
- IXYSのNチャンネルパワーMOSFET （高速固有ダイオード搭載） （HiPerFET）
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：53 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：800 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：140 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-30 V, +30 V
- パッケージタイプ：SOT-227B
- 実装タイプ：パネルマウント
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：1.04 kW
- 寸法：38.23 x 25.42 x 9.6mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：194-350
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|