特徴
- NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET Polarシリーズ
- IXYSのNチャンネルパワーMOSFET （高速固有ダイオード搭載） （HiPerFET）
仕様
- 入数：1袋（5個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：7 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：800 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：1.44 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-30 V, +30 V
- パッケージタイプ：TO-220
- 実装タイプ：スルーホール
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：200 W
- 標準ターンオフ遅延時間：55 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：194-136
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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