特徴
- NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFETシリーズ
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：24 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：1000 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：390 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：5.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOT-227B
- 実装タイプ：パネルマウント
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：568000 mW
- 標準ターンオフ遅延時間：75 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：194-091
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|