特徴
- NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFETシリーズ
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：36 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：1000 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：240 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOT-227B
- 実装タイプ：パネルマウント
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：700000 mW
- 高さ：9.6mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：193-795
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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