特徴
- NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET Polarシリーズ
- IXYSのNチャンネルパワーMOSFET （高速固有ダイオード搭載） （HiPerFET）
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：115 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：300 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：24 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOT-227B
- 実装タイプ：パネルマウント
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：700000 mW
- 動作温度 Max：+150 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：193-739
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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