63-5160-30 ［取扱停止］N+Pチャンネル パワーMOSFET 30 V 4.6 A、6.8 A 8 ピン パッケージSOIC IRF9389TRPBF
[Infineon] IRF9389TRPBF Dual N/P-Channel MOSFET, 4.6 A, 6.8 A, 30 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon
特徴
- デュアルN/PチャンネルパワーMOSFET、Infineon
- InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFET（R）デバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。
- さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。
仕様
- 入数：1袋（25個入）
- チャンネルタイプ：N, P
- 最大連続ドレイン電流：4.6 A、6.8 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：40 mΩ, 103 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2.3V
- 最低ゲートしきい値電圧：1.3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20V, +20V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：絶縁型
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2W
- 1チップ当たりのエレメント数：2
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：879-3312
