63-5154-62　64Mbit フラッシュメモリ 2.7 → 3.6 V 8-Pin SOIJ 1袋（2個入）　SST26VF064B-104I/SM

特徴

• SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O　（SQI）　SuperFlash（R）メモリ
• Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O（TM）　（SQI（TM））インターフェイスSuperFlash（R）メモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。
• Microchip製のSQI（TM）インターフェイスを使用すれば、最高で104MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place　（XIP）機能が可能になります。
• これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス（SPI）プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。
• これらのデバイスは、SuperFlash（R）技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。
• 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18　msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35　msです。
• 特長
• シリアルインターフェイスアーキテクチャ　–　ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造　x1/x2/x4シリアルペリフェラルインターフェイス（SPI）プロトコル　高速クロック周波数　-　最大104MHz　バーストモード　低消費電力　–　アクティブ読み取り15mA　（104MHz時の代表値）、スタンバイ15　μA（代表値）　高速消去時間　-　セクタ/ブロック消去：18　ms（代表値）、チップ消去35　ms（代表値）　柔軟性の高い消去機能　ソフトウェア書き込み保護

仕様

• 入数：1袋（2個入）
• メモリサイズ：64Mbit
• インターフェースタイプ：SPI
• パッケージタイプ：SOIJ
• ピン数：8
• 構成：8　M×8ビット
• 実装タイプ：表面実装
• セルタイプ：スプリットゲート
• 動作供給電圧　Min：2.7V
• 動作供給電圧mAx：3.6V
• ブロック構成：対称
• 長さ：5.26mm
• 高さ：1.98mm
• 幅：5.25mm
• 寸法：5.26×5.25×1.98mm
• ワード数：8M
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：869-6179