63-5153-63　［取扱停止］Nチャンネル　パワーMOSFET　200　V　31　A　3　ピン　パッケージTO-220AB　IRFB31N20DPBF

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET　150→600　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFET（R）パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。
• レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1チューブ（5個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：31　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：200V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：80　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：5.5V
• 最低ゲートしきい値電圧：3V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-30V,　+30V
• パッケージタイプ：TO-220AB
• 実装タイプ：スルーホール
• ピン数：3
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：200W
• 動作温度　Min：-55°C
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：865-5793