63-5137-91　［取扱停止］Pチャンネル　パワーMOSFET　60　V　8.8　A　3　ピン　パッケージTO-220　SPP08P06PHXKSA1

特徴

• Infineon　SIPMOS（R）　PチャンネルMOSFET
• Infineon　SIPMOS　（R）　小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80　Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。
• SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。
• ・　AEC　Q101適合（データシートを参照してください）　・　無鉛めっき、RoHS対応

仕様

• 入数：1袋（5個入）
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：8.8　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：60V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：300　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：4V
• 最低ゲートしきい値電圧：2.1V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20V,　+20V
• パッケージタイプ：TO-220
• 実装タイプ：スルーホール
• トランジスタ構成：シングル
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：42W
• 1チップ当たりのエレメント数：1
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：826-8279