特徴
- NチャンネルMOSFET、100→150 V、Vishay Semiconductor
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：1.5 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：760 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-10V, +10V
- パッケージタイプ：SOT-223
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：3.1W
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：813-0714
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|