63-5125-93 ［取扱停止］6 GHz ローノイズ RFアンプ IC 23dBm出力 0.85dB LNA 3-Pin SOT-89 ATF-53189-BLK
[Broadcom]
特徴
- GaAs FET RFトランジスタ、Avago Technologies
- GaAs FET RFトランジスタは、基地局の低ノイズアンプ（LNA）の第1段又は第2段に適しています。
- 低いノイズと高い直線性の最高の組み合わせの仕様が採用されています。
- これらのAvago Technologies製GaAs MESFET RFトランジスタは、ワイヤレス及び高周波用途向けに設計されています。
仕様
- 入数：1個
- アンプタイプ：リニアアンプ、低ノイズ、パワーアンプ
- 標準パワーゲイン：17.2 dB
- 標準出力パワー：23dBm
- 標準ノイズ：0.85dB
- 1チップ当たりのチャンネル数：1
- 最大動作周波数：6GHz
- 実装タイプ：表面実装
- パッケージタイプ：SOT-89
- ピン数：3
- 寸法：4.6×2.6×1.6mm
- 高さ：1.6mm
- 長さ：4.6mm
- 幅：2.6mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：812-0528
