63-5069-52 Nチャンネル パワーMOSFET 300 V 28 A 3 ピン パッケージD2PAK （TO-263）1袋（2個入） FDB28N30TM
[ON Semiconductor] FDB28N30TM N-Channel MOSFET, 28 A, 300 V UniFET, 3-Pin D2PAK ON Semiconductor
特徴
- UniFET（TM） NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor
- UniFET（TM） MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。
- この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。
- さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II（TM） MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。
- UniFET（TM） MOSFETは、力率補正（PFC）、フラットパネルディスプレイ（FPD） TV電源、ATX （Advanced Technology eXtended）、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。
仕様
- 入数：1袋（2個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：28 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：300V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：129 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-30V, +30V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：250W
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：759-8970
