63-5058-23 Pチャンネル パワーMOSFET 60 V 80 A 3 ピン パッケージD2PAK （TO-263） SPB80P06PGATMA1
[Infineon] SPB80P06PGATMA1 P-Channel MOSFET, 80 A, 60 V SIPMOS, 3-Pin D2PAK Infineon
特徴
- Infineon SIPMOS（R） PチャンネルMOSFET
- Infineon SIPMOS （R） 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。
- SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。
- ・ AEC Q101適合（データシートを参照してください） ・ 無鉛めっき、RoHS対応
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：80 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：23 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2.1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20V, +20V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：340W
- 高さ：4.57mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：753-3166
