63-5058-23 [受注停止]Pチャンネル パワーMOSFET 60 V 80 A 3 ピン パッケージD2PAK (TO-263)  SPB80P06PGATMA1

[Infineon] SPB80P06PGATMA1 P-Channel MOSFET, 80 A, 60 V SIPMOS, 3-Pin D2PAK Infineon

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よくあるご質問 (FAQ)

特徴

  • Infineon SIPMOS(R) PチャンネルMOSFET
  • Infineon SIPMOS (R) 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。
  • SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。
  • ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応

仕様

  • 入数:1個
  • チャンネルタイプ:P
  • 最大連続ドレイン電流:80 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧:60V
  • 最大ドレイン-ソース間抵抗:23 mΩ
  • 最大ゲートしきい値電圧:4V
  • 最低ゲートしきい値電圧:2.1V
  • 最大ゲート-ソース間電圧:-20V, +20V
  • パッケージタイプ:D2PAK (TO-263)
  • 実装タイプ:表面実装
  • ピン数:3
  • チャンネルモード:エンハンスメント型
  • カテゴリー:パワーMOSFET
  • 最大パワー消費:340W
  • 高さ:4.57mm
  • RoHS適合状況:適合
  • コード番号:753-3166

アズワン品番 63-5058-23
型番 SPB80P06PGATMA1
標準価格 380円(税抜)
WEB価格 -
入り数 1個
  受注停止
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