特徴
- Infineon SIPMOS（R） NチャンネルMOSFET
仕様
- 入数：1袋（100個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：200mA
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：7.5Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：1.8V
- 最低ゲートしきい値電圧：0.8V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20V, +20V
- パッケージタイプ：SOT-23
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：小信号
- 最大パワー消費：360mW
- 寸法：2.9×1.3×1mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：753-3134
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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