特徴
- Infineon CoolMOS（TM）C3パワーMOSFET
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：36 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：900V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：120 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：3.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20V, +20V
- パッケージタイプ：TO-247
- 実装タイプ：スルーホール
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：417W
- 長さ：16.13mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：753-3077
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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