特徴
- Infineon SIPMOS（R） NチャンネルMOSFET
仕様
- 入数：1袋（25個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：21mA
- 最大ドレイン-ソース間電圧：600V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：600Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：2.6V
- 最低ゲートしきい値電圧：1.4V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20V, +20V
- パッケージタイプ：SOT-23
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：小信号
- 最大パワー消費：500mW
- シリーズ：SIPMOS
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：753-2832
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|