特徴
- Infineon CoolMOS（TM）C3パワーMOSFET
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：52 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：560V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：70 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：3.9V
- 最低ゲートしきい値電圧：2.1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20V, +20V
- パッケージタイプ：TO-247
- 実装タイプ：スルーホール
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：417W
- 長さ：16.13mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：752-8518
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|