特徴
- Infineon SIPMOS（R） NチャンネルMOSFET
仕様
- 入数：1袋（5個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：190mA
- 最大ドレイン-ソース間電圧：800V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：20Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20V, +20V
- パッケージタイプ：SOT-223
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：小信号
- 最大パワー消費：1.8W
- 寸法：6.5×3.5×1.6mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：752-8211
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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