63-5037-97　［取扱停止］デュアル　Pチャンネル　パワーMOSFET　30　V　9.2　A　8　ピン　パッケージSOIC　IRF9358PBF

特徴

• デュアルPチャンネルパワーMOSFET、Infineon
• InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFET（R）デバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。
• さまざまなパッケージングオプションをご用意しており、設計者はデュアルPチャンネル構成を選択できます。

仕様

• 入数：1袋（5個入）
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：9.2　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：30V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：23.8　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：2.4V
• 最低ゲートしきい値電圧：1.3V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20V,　+20V
• パッケージタイプ：SOIC
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：8
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2W
• 幅：4mm
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：737-7297