63-5027-98　Nチャンネル パワーMOSFET 60 V 1.2 A 3 ピン パッケージSOT-23 1袋（20個入）　IRLML2060TRPBF

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET　60→80　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFET（R）パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。
• さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。
• レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1袋（20個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：1.2　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：60V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：480　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：2.5V
• 最低ゲートしきい値電圧：1V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-16V,　+16V
• パッケージタイプ：SOT-23
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：シングル
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：1.25W
• 標準入力キャパシタンス　@Vds：64　pF　@　25V
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：725-9357