63-5027-88　［取扱停止］デュアル　Nチャンネル　パワーMOSFET　60　V　8　A　8　ピン　パッケージSOIC　IRF7351PBF

特徴

• デュアルNチャンネルパワーMOSFET、Infineon
• InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFET（R）デバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。
• さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルNチャンネル構成を選択できます。

仕様

• 入数：1袋（5個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：8　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：60V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：17.8　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：4V
• 最低ゲートしきい値電圧：2V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20V,　+20V
• パッケージタイプ：SOIC
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：絶縁型
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2W
• 高さ：1.5mm
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：725-9237