特徴
- デュアルNチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：4.3 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：58 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20V, +20V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：絶縁型
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2000mW
- 寸法：5×4×1.55mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：710-3364
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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