特徴
- PチャンネルMOSFET、30→80 V、Vishay Semiconductor
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：8.1 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：24 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20V, +20V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2500mW
- 標準ターンオフ遅延時間：40 ns、45 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：710-3339
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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