63-4966-43　［取扱停止］Nチャンネル　パワーMOSFET　40　V　130　A　3　ピン　パッケージDPAK　（TO-252）　IRLR3114ZPBF

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET　40　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFET（R）パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。
• レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1袋（5個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：130　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：40V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：5　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：2.5V
• 最低ゲートしきい値電圧：1V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-16V,　+16V
• パッケージタイプ：DPAK　（TO-252）
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：3
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：140000mW
• トランジスタ素材：Si
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：688-7210