63-4966-32　［取扱停止］Nチャンネル　パワーMOSFET　75　V　120　A　3　ピン　パッケージD2PAK　（TO-263）　IRFS3307ZPBF

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET　60→80　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFET（R）パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。
• さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。
• レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1袋（2個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：120　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：75V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：6　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：4V
• 最低ゲートしきい値電圧：2V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20V,　+20V
• パッケージタイプ：D2PAK　（TO-263）
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：3
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：230000mW
• 標準入力キャパシタンス　@Vds：4750　pF　@　50V
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：688-7070