63-4965-99　［取扱停止］Nチャンネル　パワーMOSFET　60　V　12　A　8　ピン　パッケージSOIC　IRF7855PBF

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET　60→80　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFET（R）パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。
• さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。
• レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1袋（5個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：12　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：60V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：9　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：4.9V
• 最低ゲートしきい値電圧：3V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20V,　+20V
• パッケージタイプ：SOIC
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：シングル
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2500mW
• 動作温度mAx：+150°C
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：688-6881