63-4936-76 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 600 V 18.5 A 3 ピン パッケージTO-3PN FQA19N60
[ON Semiconductor] FQA19N60 N-Channel MOSFET, 18.5 A, 600 V QFET, 3-Pin TO-3PN ON Semiconductor
特徴
- QFET（R） NチャンネルMOSFET、11→30 A、Fairchild Semiconductor
- Fairchild Semiconductor製の新しいQFET（R）平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC （力率補正）、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル（PDP）、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。
- これらの製品では、オン抵抗（RDS（on））を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量（Qg）と出力静電容量（Coss）を低くすることでスイッチング損失を低減しています。
- 高度なQFET（R）プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数（FOM）を発揮できます。
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：18.5 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：600V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：380 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-30V, +30V
- パッケージタイプ：TO-3PN
- 実装タイプ：スルーホール
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：300W
- 標準ターンオフ遅延時間：150 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：671-4913
