63-4936-28　［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 600 V 1 A 3 ピン パッケージDPAK （TO-252）1袋（5個入）　FQD1N60CTM

特徴

• QFET（R）　NチャンネルMOSFET、最大5.9　A、Fairchild　Semiconductor
• Fairchild　Semiconductor製の新しいQFET（R）平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC　（力率補正）、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル（PDP）、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。
• これらの製品では、オン抵抗（RDS（on））を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量（Qg）と出力静電容量（Coss）を低くすることでスイッチング損失を低減しています。
• 高度なQFET（R）プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数（FOM）を発揮できます。

仕様

• 入数：1袋（5個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：1　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：600V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：11.5Ω
• 最低ゲートしきい値電圧：2V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-30V,　+30V
• パッケージタイプ：DPAK　（TO-252）
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：シングル
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2500mW
• 長さ：6.6mm
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：671-0983