63-4916-45 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 55 V 5 A 3+Tab ピン パッケージSOT-223 IRLL024ZPBF
[Infineon] IRLL024ZPBF N-Channel MOSFET, 5 A, 55 V HEXFET, 3 + Tab-Pin SOT-223 Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET 55 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFET（R）パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。
- レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1袋（5個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：5 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：55V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：60 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-16V, +16V
- パッケージタイプ：SOT-223
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3+Tab
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.8W
- 標準入力キャパシタンス @Vds：380 pF @ 25V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：650-4463
