63-4916-38　［取扱停止］Pチャンネル　パワーMOSFET　20　V　15　A　8　ピン　パッケージSOIC　IRF7425PBF

特徴

• PチャンネルパワーMOSFET　12→20　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFET（R）パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。
• レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1袋（5個入）
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：15　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：20V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：8　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：1.2V
• 最低ゲートしきい値電圧：0.45V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-12V,　+12V
• パッケージタイプ：SOIC
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：シングル
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2.5W
• 寸法：5×4×1.5mm
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：650-3943