63-4869-25　［取扱停止］Nチャンネル　パワーMOSFET　55　V　2.7　A　3+Tab　ピン　パッケージSOT-223　IRFL014NPBF

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET　55　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFET（R）パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。
• レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1袋（5個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：2.7　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：55V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：160　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：4V
• 最低ゲートしきい値電圧：2V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20V,　+20V
• パッケージタイプ：SOT-223
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：3+Tab
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2.1W
• 幅：3.7mm
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：543-1651