63-4869-17　［取扱停止］Pチャンネル　パワーMOSFET　40　V　6.2　A　8　ピン　パッケージSOIC　IRF7241PBF

特徴

• PチャンネルパワーMOSFET　40→55　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFET（R）パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1個
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：6.2　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：40V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：41　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：3V
• 最低ゲートしきい値電圧：1V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20V,　+20V
• パッケージタイプ：SOIC
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：8
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2500mW
• 標準ターンオン遅延時間：24　ns
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：543-1459