63-4869-16　［取扱停止］Nチャンネル　パワーMOSFET　100　V　4.5　A　8　ピン　パッケージSOIC　IRF7452PBF

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET　100　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFET（R）パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。
• さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。
• レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1個
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：4.5　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：100V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：60　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：5.5V
• 最低ゲートしきい値電圧：3V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-30V,　+30V
• パッケージタイプ：SOIC
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：8
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2.5W
• 動作温度　Min：-55°C
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：543-1320