特徴
- NチャンネルMOSFET、60→90 V、Vishay Semiconductor
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：1.7 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：200 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-10V, +10V
- パッケージタイプ：HVMDIP
- 実装タイプ：スルーホール
- ピン数：4
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：1300mW
- 寸法：5×6.29×3.37mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：543-0478
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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