63-4868-80　Nチャンネル　パワーMOSFET　200　V　9.3　A　3　ピン　パッケージTO-220AB　IRF630NPBF

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET　150→600　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFET（R）パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。
• レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1個
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：9.3　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：200V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：300　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：4V
• 最低ゲートしきい値電圧：2V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20V,　+20V
• パッケージタイプ：TO-220AB
• 実装タイプ：スルーホール
• トランジスタ構成：シングル
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：82W
• 寸法：10.54×4.69×8.77mm
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：543-0068