63-4868-42 Nチャンネル パワーMOSFET 150 V 43 A 3 ピン パッケージTO-220AB IRF3415PBF
[Infineon] IRF3415PBF N-Channel MOSFET, 43 A, 150 V HEXFET, 3-Pin TO-220AB Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET 150→600 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFET（R）パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。
- レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：43 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：150V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：42 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20V, +20V
- パッケージタイプ：TO-220AB
- 実装タイプ：スルーホール
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：200W
- 標準ターンオフ遅延時間：71 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：542-9232
