63-4866-68 ［取扱停止］N+Pチャンネル パワーMOSFET 30 V 5.3 A、7.3 A 8 ピン パッケージSOIC IRF7389PBF
[Infineon] IRF7389PBF Dual N/P-Channel MOSFET, 5.3 A, 7.3 A, 30 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon
特徴
- デュアルN/PチャンネルパワーMOSFET、Infineon
- InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFET（R）デバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。
- さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N, P
- 最大連続ドレイン電流：5.3 A、7.3 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：29 mΩ, 58 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：1V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20V, +20V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：絶縁型
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.5W
- 標準ゲートチャージ @Vgs：22 nC @ 10V、23 nC @ 10V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：541-2004
